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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.4V(Max)@ IC= 4A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V (Min) • Complement to Type 2SB1019 APPLICATIONS • High current switching applications. • Power amplifier applications.

ISC

无锡固电

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-29 20:00:01
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