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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SD1412	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.4V(Max)@ IC= 4A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V (Min) • Complement to Type 2SB1019 APPLICATIONS • High current switching applications. • Power amplifier applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SD1412A	Power transistor for low frequency applications	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1412A	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) 文件：184.67 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更新时间：2025-10-30 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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