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2SD1412A

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

文件:184.67 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD1412A

Power transistor for low frequency applications

TOSHIBA

东芝

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.4V(Max)@ IC= 4A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V (Min) • Complement to Type 2SB1019 APPLICATIONS • High current switching applications. • Power amplifier applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-10-31 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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