2SD1126(K)晶体管资料

  • 2SD1126(K)别名:2SD1126(K)三极管、2SD1126(K)晶体管、2SD1126(K)晶体三极管

  • 2SD1126(K)生产厂家

  • 2SD1126(K)制作材料:Si-N+Darl+Di

  • 2SD1126(K)性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SD1126(K)封装形式:直插封装

  • 2SD1126(K)极限工作电压:120V

  • 2SD1126(K)最大电流允许值:10A

  • 2SD1126(K)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SD1126(K)引脚数:3

  • 2SD1126(K)最大耗散功率:50W

  • 2SD1126(K)放大倍数:β>1000

  • 2SD1126(K)图片代号:B-10

  • 2SD1126(K)vtest:120

  • 2SD1126(K)htest:999900

  • 2SD1126(K)atest:10

  • 2SD1126(K)wtest:50

  • 2SD1126(K)代换 2SD1126(K)用什么型号代替:BDT63C,BDT65C,BDX33D,2SD1607,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

SiliconNPNTripleDiffused

SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitching

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi

SiliconNPNTripleDiffused

SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitching

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=5A •LowSaturationVoltage APPLICATIONS •Designedforpowerswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SiliconNPNTripleDiffused

SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitching

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi

SiliconNPNTripleDiffused

SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitching

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

2SD1126(K)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1126(K)

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB

更新时间:2024-4-29 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
24+
TO220
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
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25000
只做原装进口现货,专注配单

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