2SD1126(K)晶体管资料

  • 2SD1126(K)别名:2SD1126(K)三极管、2SD1126(K)晶体管、2SD1126(K)晶体三极管

  • 2SD1126(K)生产厂家

  • 2SD1126(K)制作材料:Si-N+Darl+Di

  • 2SD1126(K)性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SD1126(K)封装形式:直插封装

  • 2SD1126(K)极限工作电压:120V

  • 2SD1126(K)最大电流允许值:10A

  • 2SD1126(K)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SD1126(K)引脚数:3

  • 2SD1126(K)最大耗散功率:50W

  • 2SD1126(K)放大倍数:β>1000

  • 2SD1126(K)图片代号:B-10

  • 2SD1126(K)vtest:120

  • 2SD1126(K)htest:999900

  • 2SD1126(K)atest:10

  • 2SD1126(K)wtest:50

  • 2SD1126(K)代换 2SD1126(K)用什么型号代替:BDT63C,BDT65C,BDX33D,2SD1607,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD1126(K)

Silicon NPN Darlington Transistor

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon NPN Triple Diffused

Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon NPN Triple Diffused

Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching

RENESAS

瑞萨

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 5A • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for power switching applications.

ISC

无锡固电

Silicon NPN Triple Diffused

Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching

HitachiHitachi Semiconductor

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Silicon NPN Triple Diffused

Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching

RENESAS

瑞萨

2SD1126(K)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1126(K)

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB

更新时间:2025-11-19 14:17:00
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