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位置：首页 > IC中文资料第371页 > 2SC4135

2SC4135晶体管资料

  • 2SC4135别名：2SC4135三极管、2SC4135晶体管、2SC4135晶体三极管

  • 2SC4135生产厂家：日本三洋公司

  • 2SC4135制作材料：Si-NPN

  • 2SC4135性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SC4135封装形式：直插封装

  • 2SC4135极限工作电压：120V

  • 2SC4135最大电流允许值：2A

  • 2SC4135最大工作频率：120MHZ

  • 2SC4135引脚数：3

  • 2SC4135最大耗散功率：15W

  • 2SC4135放大倍数：

  • 2SC4135图片代号：A-80

  • 2SC4135vtest：120

  • 2SC4135htest：120000000

  • 2SC4135atest：2

  • 2SC4135wtest：15

  • 2SC4135代换 2SC4135用什么型号代替：2SC3403,2SD1220,2SD1557,2SD1815,2SD1816,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC4135

High-Voltage Switching Applications

High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • High breakdown voltage and large current capacity. • Fast switching speed. • Small and slim package permitting 2SA1593/ 2SC4135-applied sets to be made more compact. Applications • Power supplies

SANYO

三洋

2SC4135

High-Voltage Switching Applications

Features ● High breakdown voltage and large current capacity. ● Fast switching speed.

KEXIN

科信电子

2SC4135

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • Complementary to 2SA1593 APPLICATIONS • Power supplies, re

ISC

无锡固电

2SC4135

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC4135

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC4135

High-Voltage Switching Applications

文件：491.53 Kbytes Page：9 Pages

SANYO

三洋

2SC4135

双极晶体管，(-)100V，(-)2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC4135-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC4135S-E

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135S-TL-E

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-E

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-TL-E

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135S-E

Bipolar Transistor

文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135S-TL-E

Bipolar Transistor

文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135S-TL-E

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 100V 2A TPFA 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-E

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 100V 2A TP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-E

Bipolar Transistor

文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-TL-E

Bipolar Transistor

文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC4135

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SC4135供应商更多...

更新时间：2025-9-29 10:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市达恩科技有限公司
2SC4135S-E
ON
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进口原装 假一罚十 现货
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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全新原装正品现货,支持订货
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深圳市盈慧通电子有限公司
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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TO-252-3 DPak(2 引线 + 接片
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SANYO/三洋
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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