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位置：首页 > IC中文资料第371页 > 2SC4135

2SC4135晶体管资料

  • 2SC4135别名：2SC4135三极管、2SC4135晶体管、2SC4135晶体三极管

  • 2SC4135生产厂家：日本三洋公司

  • 2SC4135制作材料：Si-NPN

  • 2SC4135性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SC4135封装形式：直插封装

  • 2SC4135极限工作电压：120V

  • 2SC4135最大电流允许值：2A

  • 2SC4135最大工作频率：120MHZ

  • 2SC4135引脚数：3

  • 2SC4135最大耗散功率：15W

  • 2SC4135放大倍数：

  • 2SC4135图片代号：A-80

  • 2SC4135vtest：120

  • 2SC4135htest：120000000

  • 2SC4135atest：2

  • 2SC4135wtest：15

  • 2SC4135代换 2SC4135用什么型号代替：2SC3403,2SD1220,2SD1557,2SD1815,2SD1816,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC4135

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC4135

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC4135

High-Voltage Switching Applications

High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • High breakdown voltage and large current capacity. • Fast switching speed. • Small and slim package permitting 2SA1593/ 2SC4135-applied sets to be made more compact. Applications • Power supplies

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

2SC4135

High-Voltage Switching Applications

Features ● High breakdown voltage and large current capacity. ● Fast switching speed.

KEXIN

科信电子

2SC4135

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • Complementary to 2SA1593 APPLICATIONS • Power supplies, re

ISC

无锡固电

2SC4135

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135

High-Voltage Switching Applications

文件：491.53 Kbytes Page：9 Pages

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

2SC4135-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC4135-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SC4135S-E

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135S-TL-E

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-E

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-TL-E

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135S-E

Bipolar Transistor

文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135S-TL-E

Bipolar Transistor

文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135S-TL-E

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 100V 2A TPFA 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-E

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 100V 2A TP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-E

Bipolar Transistor

文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135T-TL-E

Bipolar Transistor

文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC4135产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC4135

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SC4135供应商更多...

更新时间：2025-8-10 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金芯世纪电子有限公司
2SC4135
SANYO/三洋
22+
SOT252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SC4135
SANYO/三洋
24+
NA/
100
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
2SC4135
SANYO/三洋
24+
TO-252
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
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深圳市纳立科技有限公司
2SC4135S-E
三年内
1983
只做原装正品
询价
艾睿（深圳）半导体有限公司
2SC4135
ROHM/罗姆
2447
TO-252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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深圳市创新迹电子有限公司
2SC4135
SANYO/三洋
2022+
-
48000
只做原装,原装,假一罚十
询价
深圳市达恩科技有限公司
2SC4135S-E
ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SC4135
SANYO/三洋
25+
TO-252
20300
SANYO/三洋原装特价2SC4135即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市河锋鑫科技有限公司
2SC4135-R
SANYO/三洋
TO-251
22+
6000
十年配单,只做原装
询价
深圳市南科功率半导体有限公司
2SC4135
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
询价

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