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2SC4135S-E中文资料

厂家型号

2SC4135S-E

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功能描述

Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes

两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

2SC4135S-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Adoption of FBET, MBIT processes

• High breakdown voltage and large current capacity

• Fast switching speed

• Small and slim package permitting

2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact

Applications

• Power supplies, relay derivers, lamp drivers

2SC4135S-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC4135S-E

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-3-1 8:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-251-3
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onsemi
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TO-251-3 短引线 IPak TO-251A
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