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NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3

DESCRIPTION The 2SC3588-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High Voltage VCEO = 400 V ● Complement to 2SA1400-Z

NEC

瑞萨

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:285.08 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 300mA • High Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO= 400V(Min) • Complement to Type 2SA1400-Z • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed

ISC

无锡固电

SILICON TRANSISTOR

NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3

RENESAS

瑞萨

NPN Silicon Triple Diffused Transistor

Features ● High voltage VCEO=400V

KEXIN

科信电子

更新时间:2025-12-30 9:07:01
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