2SC3587晶体管资料
2SC3587别名：2SC3587三极管、2SC3587晶体管、2SC3587晶体三极管
2SC3587生产厂家：日本日电公司
2SC3587制作材料：Si-NPN
2SC3587性质：超高频/特高频 （UHF）
2SC3587封装形式：贴片封装
2SC3587极限工作电压：20V
2SC3587最大电流允许值：0.035A
2SC3587最大工作频率：10GHZ
2SC3587引脚数：4
2SC3587最大耗散功率：0.58W
2SC3587放大倍数：
2SC3587图片代号：G-129
2SC3587vtest：20
2SC3587htest：10000000000
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2SC3587wtest：0.58
2SC3587代换 2SC3587用什么型号代替：2SC3721,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC3587 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION The 2SC3587 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 0.5 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic range. F | NEC 瑞萨 |   | |
2SC3587 | SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION The 2SC3587 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 0.5 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic ran | RENESAS 瑞萨 | | |
2SC3587 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION | RENESAS 瑞萨 | |
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