2SC3587晶体管资料
2SC3587别名：2SC3587三极管、2SC3587晶体管、2SC3587晶体三极管
2SC3587生产厂家：日本日电公司
2SC3587制作材料：Si-NPN
2SC3587性质：超高频/特高频 （UHF）
2SC3587封装形式：贴片封装
2SC3587极限工作电压：20V
2SC3587最大电流允许值：0.035A
2SC3587最大工作频率：10GHZ
2SC3587引脚数：4
2SC3587最大耗散功率：0.58W
2SC3587放大倍数：
2SC3587图片代号：G-129
2SC3587vtest：20
2SC3587htest：10000000000
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2SC3587wtest：0.58
2SC3587代换 2SC3587用什么型号代替：2SC3721,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC3587 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION The 2SC3587 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 0.5 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic range. F | NEC 瑞萨 |   | |
2SC3587 | SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION The 2SC3587 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 0.5 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic ran | RENESAS 瑞萨 | | |
2SC3587 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION | RENESAS 瑞萨 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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NEC |
23+ |
TO-251 |
55498 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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NEC |
24+ |
NA/ |
200 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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NEC |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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NEC |
23+ |
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原装正品代理渠道价格优势 |
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NEC |
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TO-251 |
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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NEC |
1922+ |
TO-251 |
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原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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TO-251 |
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2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
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只做原装假一赔十
2020-11-142SC3671-B,T2F(J
产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors
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