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2SC3587中文资料

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2SC3587

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功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

数据手册

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生产厂商

NEC

2SC3587数据手册规格书PDF详情

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

The 2SC3587 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 0.5 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic range.

FEATURES

• Low noise : NF = 1.7 dB TYP. @ f = 2 GHz

NF = 2.6 dB TYP. @ f = 4 GHz

• High power gain : GA = 12.5 dB TYP. @ f = 2 GHz

GA = 8.0 dB TYP. @ f = 4 GHz

更新时间:2026-3-10 14:02:00
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2SC3587 晶体管资料

  • 2SC3587别名:2SC3587三极管、2SC3587晶体管、2SC3587晶体三极管

  • 2SC3587生产厂家:日本日电公司

  • 2SC3587制作材料:Si-NPN

  • 2SC3587性质:超高频/特高频 (UHF)

  • 2SC3587封装形式:贴片封装

  • 2SC3587极限工作电压:20V

  • 2SC3587最大电流允许值:0.035A

  • 2SC3587最大工作频率:10GHZ

  • 2SC3587引脚数:4

  • 2SC3587最大耗散功率:0.58W

  • 2SC3587放大倍数

  • 2SC3587图片代号:G-129

  • 2SC3587vtest:20

  • 2SC3587htest:10000000000

  • 2SC3587atest:0.035

  • 2SC3587wtest:0.58

  • 2SC3587代换 2SC3587用什么型号代替:2SC3721,