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2SC3585晶体管资料
2SC3585别名：2SC3585三极管、2SC3585晶体管、2SC3585晶体三极管
2SC3585生产厂家：日本日电公司
2SC3585制作材料：Si-NPN
2SC3585性质：表面帖装型 （SMD）_超高频/特高频 （UHF）
2SC3585封装形式：贴片封装
2SC3585极限工作电压：20V
2SC3585最大电流允许值：0.035A
2SC3585最大工作频率：10GHZ
2SC3585引脚数：3
2SC3585最大耗散功率：
2SC3585放大倍数：
2SC3585图片代号：H-15
2SC3585vtest：20
2SC3585htest：10000000000
- 2SC3585atest：0.035
2SC3585wtest：0
2SC3585代换 2SC3585用什么型号代替：2SC3730,2SC3904,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC3585 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 |   | |
2SC3585 | NPN Silicon Epitaxial Transistor Features NF 1.8dB TYP. @f = 2.0 GHz Ga 9dB TYP.@f=2.0GHz | KEXIN 科信电子 | | |
2SC3585 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR DESCRIPTION The 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The 2SC3585 employs direct nitride passivated base surface process (DNP proc | RENESAS 瑞萨 | | |
2SC3585 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER DESCRIPTION The NE68033 / 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The NE68033 / 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The NE68033 / 2SC3585 employs direct nitride passivated | CEL | | |
2SC3585 | Low Noise and High Gain 文件：308.73 Kbytes Page：6 Pages | ISC 无锡固电 | | |
2SC3585 | 高频三极管 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 | | ||
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR 文件：321.52 Kbytes Page：10 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | CEL | | ||
For amplify microwave and low noise. | NEC 瑞萨 | | ||
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR | CEL | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | CEL | |
2SC3585产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SC3585
- 制造商
Renesas Electronics
- 功能描述
Cut Tape
- 制造商
Renesas
- 功能描述
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
SOT-23 |
96000 |
公司大量原装现货,欢迎来电 |
|||
RENESAS/GC |
24+ |
NA/ |
18250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
NEC |
2016+ |
SOT23 |
6600 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
NEC |
23+ |
SOT23 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
NEC |
25+ |
SOT-23 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
NEC |
25+ |
原装 |
32000 |
NEC全新特价2SC3585-T1B即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
NEC |
24+ |
SOT23 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
Slkor/萨科微 |
24+ |
SOT-23-3L |
50000 |
Slkor/萨科微一级代理,价格优势 |
|||
NEC |
新年份 |
SOT-23 |
15000 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
|||
NEC |
22+ |
SOT23 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
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只做原装假一赔十
2020-11-142SC3671-B,T2F(J
产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors
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