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2SC3585晶体管资料

  • 2SC3585别名：2SC3585三极管、2SC3585晶体管、2SC3585晶体三极管

  • 2SC3585生产厂家：日本日电公司

  • 2SC3585制作材料：Si-NPN

  • 2SC3585性质：表面帖装型 （SMD）_超高频/特高频 （UHF）

  • 2SC3585封装形式：贴片封装

  • 2SC3585极限工作电压：20V

  • 2SC3585最大电流允许值：0.035A

  • 2SC3585最大工作频率：10GHZ

  • 2SC3585引脚数：3

  • 2SC3585最大耗散功率：

  • 2SC3585放大倍数：

  • 2SC3585图片代号：H-15

  • 2SC3585vtest：20

  • 2SC3585htest：10000000000

  • 2SC3585atest：0.035

  • 2SC3585wtest：0

  • 2SC3585代换 2SC3585用什么型号代替：2SC3730,2SC3904,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3585

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

NEC

瑞萨

2SC3585

NPN Silicon Epitaxial Transistor

Features NF 1.8dB TYP. @f = 2.0 GHz Ga 9dB TYP.@f=2.0GHz

KEXIN

科信电子

2SC3585

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR

DESCRIPTION The 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The 2SC3585 employs direct nitride passivated base surface process (DNP proc

RENESAS

瑞萨

2SC3585

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

DESCRIPTION The NE68033 / 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The NE68033 / 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The NE68033 / 2SC3585 employs direct nitride passivated

CEL

2SC3585

Low Noise and High Gain

文件：308.73 Kbytes Page：6 Pages

ISC

无锡固电

2SC3585

高频三极管

MXTronics

2SC3585-T1B

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR

DESCRIPTION\nThe NE68033 / 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band.  The NE68033 / 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures.  The NE68033 / 2SC3585 employs direct nitride passivated ba • NF 1.8 dB TYP. @f = 2.0 GHz\n• Ga 9 dB TYP. @f = 2.0 GHz;

CEL

2SC3585-T1B

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

NEC

瑞萨

2SC3585_15

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR

文件：321.52 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SC3585-A

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

CEL

2SC3585-L

For amplify microwave and low noise.

NEC

瑞萨

2SC3585-T1B-A

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

CEL

2SC3585产品属性

  • 类型

    描述

  • VCEO(V)：

    10

  • ICM(mA)：

    35

  • PT(W)：

    0.2

  • 2(dB)：

    12

  • NF(dB)：

    1.2

  • GUM(dB)：

    13

  • @Vce(V)：

    5

  • @Ic(mA)：

    10

  • @fT(GHz)：

    0.9

  • Package：

    SOT23

  • 兼容型号：

    2SC3585

2SC3585供应商更多...

更新时间：2026-5-15 20:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华睿芯科技有限公司
2SC3585-T1B
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2SC3585-T1B
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