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位置：首页 > IC中文资料第5719页 > 2SC327

2SC327晶体管资料

  • 2SC327别名：2SC327三极管、2SC327晶体管、2SC327晶体三极管

  • 2SC327生产厂家：日本冲电气工业股份公司

  • 2SC327制作材料：Si-NPN

  • 2SC327性质：超高频/特高频 （UHF）

  • 2SC327封装形式：直插封装

  • 2SC327极限工作电压：30V

  • 2SC327最大电流允许值：0.05A

  • 2SC327最大工作频率：1GHZ

  • 2SC327引脚数：3

  • 2SC327最大耗散功率：0.25W

  • 2SC327放大倍数：

  • 2SC327图片代号：D-13

  • 2SC327vtest：30

  • 2SC327htest：1000000000

  • 2SC327atest：0.05

  • 2SC327wtest：0.25

  • 2SC327代换 2SC327用什么型号代替：BF180,BF362,BF363,BF357,BF377,BFR37,BFW30,BFX73,2SC2570(A),3DG44A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3270M

High Voltage Amp.Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistors

High Voltage Amp.

ROHM

罗姆

2SC3271F

Chroma Amplifier Transistor

Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO=300V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 3pF at VCB=30V) 3) Ideal for chroma circuit.

ROHM

罗姆

2SC3271F

Chroma Amplifier Transistor (300V, 0.1A)

Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO=300V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 3pF at VCB=30V) 3) Ideal for chroma circuit.

ROHM

罗姆

2SC3272

Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistor

Medium Power Amp. Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistor Features 1) High breakdown voltage: BVCEO = 300V 2) Small collector output capacitance. 3) Ideal for use in color TV chroma output and video signal amplification.

ROHM

罗姆

2SC3272

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·For power amplification

ISC

无锡固电

2SC3272

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for use in color TV chroma output and video signal amplification.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SC3272

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·For power amplification

SAVANTIC

2SC3277

Silicon NPN Power Transistors

Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage ,high current ·Fast switching speed ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·400V/10A switching regulator applications

ISC

无锡固电

2SC3277

Silicon NPN Power Transistors

Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage ,high current ·Fast switching speed ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·400V/10A switching regulator applications

SAVANTIC

2SC3277

For Switching Regulators

400V/10A Switching Regulator Applications Features • High breakdown voltage, high current. • Wide ASO. • Fast switching speed.

SANYO

三洋

2SC3279

NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain and excellent hFElinearity : hFE (1)= 140~600 (VCE= 1 V, IC= 0.5 A) : hFE (2)= 70 (min), 200 (typ.) (VCE= 1 V, IC= 2 A) • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.5 V (max) (IC= 2 A, IB= 50

TOSHIBA

东芝

2SC3279

NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES High DC current gain and excellent hFElinearity. Low saturation voltage.

SECOS

喜可士

2SC3279-L

NPN Silicon Epitaxial Transistors

Features • High DC Current Gain and excellent hFELinearity hFE(1)=140-600 (VCE=1.0V, IC=0.5A) hFE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Lead Free Finish/RoHS Compliant

MCC

2SC3279-M

NPN Silicon Epitaxial Transistors

Features • High DC Current Gain and excellent hFELinearity hFE(1)=140-600 (VCE=1.0V, IC=0.5A) hFE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Lead Free Finish/RoHS Compliant

MCC

2SC3279-N

NPN Silicon Epitaxial Transistors

Features • High DC Current Gain and excellent hFELinearity hFE(1)=140-600 (VCE=1.0V, IC=0.5A) hFE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Lead Free Finish/RoHS Compliant

MCC

2SC3279-P

NPN Silicon Epitaxial Transistors

Features • High DC Current Gain and excellent hFELinearity hFE(1)=140-600 (VCE=1.0V, IC=0.5A) hFE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Lead Free Finish/RoHS Compliant

MCC

2SC3271

Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistor

文件：218.89 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SC3271F

Chroma Amplifier Transistor(300V,0.1A)

ROHM

罗姆

2SC3272

Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistor

ROHM

罗姆

2SC3272

Silicon NPN Power Transistors

文件：101.81 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SC3277

Silicon NPN Power Transistors

文件：211.28 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SC3277

Silicon NPN Power Transistor

文件：135.28 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SC3277

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 400V/10A Switching Regulator Applications

ONSEMI

安森美半导体

2SC3279

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

文件：501.57 Kbytes Page：3 Pages

JIANGSU

长电科技

2SC3279

TRANSISTOR (NPN)

文件：125.94 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SC3279

TRANSISTOR (NPN)

文件：311.87 Kbytes Page：2 Pages

KOOCHIN

灏展电子

2SC3279

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

喜可士

2SC3279

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Strobe Flash Applications

文件：335.57 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3279_07

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Strobe Flash Applications

文件：335.57 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3279_11

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

喜可士

2SC3279_15

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

喜可士

2SC3279-L

NPN Silicon Epitaxial Transistors

文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages

MCC

2SC3279-L_13

NPN Silicon Epitaxial Transistors

文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages

MCC

2SC3279-M

NPN Silicon Epitaxial Transistors

文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages

MCC

2SC3279-M-AP

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 10V 2A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCC

2SC3279-N

NPN Silicon Epitaxial Transistors

文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages

MCC

2SC3279-N-AP

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 10V 2A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCC

2SC3279-P

NPN Silicon Epitaxial Transistors

文件：364.18 Kbytes Page：3 Pages

MCC

2SC327产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC327

  • 制造商

    ROHM

  • 制造商全称

    Rohm

  • 功能描述

    High Voltage Amp.Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistors

2SC327供应商更多...

更新时间：2025-12-25 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SC3279-GR
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
3502
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
2SC3279-M
TOSHIBA/东芝
22+
TO-92
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
2SC3279其他被动元件
TOSHIBA/东芝
25+
TO-92
54558
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
千层芯半导体(深圳)有限公司
2SC3279
TOSHIBA
24+
TO-92
44300
原装进口现货假一罚百
询价
深圳市赛美科科技有限公司
2SC3279-N
TOS
TO-92
8553
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
深圳市诺美思科技有限公司
2SC3279-M(FT)
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
深圳市凯睿晟科技有限公司
2SC3279
TOSHIBA/东芝
21+
89
20000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2SC3279-P
TOSHIBA/东芝
23+
TO-92
20000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司
2SC3279
TOSHIBA/东芝
21+
TO-92
8080
只做原装,质量保证
询价
深圳市一线半导体有限公司
2SC3279
24+
TO-92
50000
询价

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    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

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  • 2SC380TM-O

    只做原装假一赔十

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    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors

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