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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC3279-M-AP | 封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 10V 2A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 |  |   |
NPNEPITAXIALTYPE(STOROBOFLASH,MEDIUMPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE(1)=140~600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(min),200(typ.)(VCE=1V,IC=2A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max) (IC=2A,IB=50 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  | | |
NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity. Lowsaturationvoltage. | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 |  | | |
NPNPlasticEncapsulatedTransistor 文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | | |
TRANSISTOR(NPN) 文件：125.94 Kbytes Page：1 Pages | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司 |  | | |
SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)StrobeFlashApplications 文件：335.57 Kbytes Page：3 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
CAN |
4625 |
优势库存 |
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TOS |
23+ |
TO-3PL |
3000 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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TO-3P |
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TOSHIBA/东芝 |
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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CJ/长电 |
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CJ/长电 |
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TOSHIBA |
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只做原装假一赔十
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