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2SC3279-M-AP

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:带盒(TB) 描述:TRANS NPN 10V 2A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MCC

NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain and excellent hFElinearity : hFE (1)= 140~600 (VCE= 1 V, IC= 0.5 A) : hFE (2)= 70 (min), 200 (typ.) (VCE= 1 V, IC= 2 A) • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.5 V (max) (IC= 2 A, IB= 50

TOSHIBA

东芝

NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES High DC current gain and excellent hFElinearity. Low saturation voltage.

SECOS

喜可士

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件:295.39 Kbytes Page:2 Pages

SECOS

喜可士

TRANSISTOR (NPN)

文件:125.94 Kbytes Page:1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Strobe Flash Applications

文件:335.57 Kbytes Page:3 Pages

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-10-4 17:00:00
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