位置:首页 > IC中文资料 > 2SC3279-N-AP
型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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2SC3279-N-AP | 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:带盒(TB) 描述:TRANS NPN 10V 2A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | MCC | ||
NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain and excellent hFElinearity : hFE (1)= 140~600 (VCE= 1 V, IC= 0.5 A) : hFE (2)= 70 (min), 200 (typ.) (VCE= 1 V, IC= 2 A) • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.5 V (max) (IC= 2 A, IB= 50 | TOSHIBA 东芝 | |||
NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC current gain and excellent hFElinearity. Low saturation voltage. | SECOS 喜可士 | |||
NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件:295.39 Kbytes Page:2 Pages | SECOS 喜可士 | |||
TRANSISTOR (NPN) 文件:125.94 Kbytes Page:1 Pages | WINNERJOIN 永而佳 | |||
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Strobe Flash Applications 文件:335.57 Kbytes Page:3 Pages | TOSHIBA 东芝 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-3-232SC380TM-O
只做原装假一赔十
2020-11-142SC3671-B,T2F(J
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