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2SC3279-N-AP

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:带盒(TB) 描述:TRANS NPN 10V 2A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

NPNEPITAXIALTYPE(STOROBOFLASH,MEDIUMPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE(1)=140~600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(min),200(typ.)(VCE=1V,IC=2A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max) (IC=2A,IB=50

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity. Lowsaturationvoltage.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

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SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

TRANSISTOR(NPN)

文件:125.94 Kbytes Page:1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)StrobeFlashApplications

文件:335.57 Kbytes Page:3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-6 23:00:00
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