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2SC197晶体管资料

  • 2SC197别名：2SC197三极管、2SC197晶体管、2SC197晶体三极管

  • 2SC197生产厂家：日本索尼公司

  • 2SC197制作材料：Si-NPN

  • 2SC197性质：射频/高频放大 （HF）

  • 2SC197封装形式：直插封装

  • 2SC197极限工作电压：30V

  • 2SC197最大电流允许值：0.01A

  • 2SC197最大工作频率：50MHZ

  • 2SC197引脚数：3

  • 2SC197最大耗散功率：0.25W

  • 2SC197放大倍数：

  • 2SC197图片代号：D-9

  • 2SC197vtest：30

  • 2SC197htest：50000000

  • 2SC197atest：.01

  • 2SC197wtest：.25

  • 2SC197代换 2SC197用什么型号代替：BF240,BF241,BF254,BF255,BF594,BF595,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC1970

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •HighPowerGain- :Gpe≥9.2dB,f=175MHz,PO=1W;VCC=13.5V •HighReliability APPLICATIONS •DesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC1971

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(forRFpoweramplifiersonVHFbandMobileradioapplications)

DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi
2SC1971

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •HighPowerGain- :Gpe≥10dB,f=175MHz,PO=6W;VCC=13.5V •HighReliability APPLICATIONS •DesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC1971

siliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradio

DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SC1971

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASI2SC1971isDesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURESINCLUDE: •ReplacesOriginal2SC1971inMostApplications •HighGainReducesDriveRequirements •EconomicalTO-220CEPackage

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI
2SC1971-01

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(forRFpoweramplifiersonVHFbandMobileradioapplications)

DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi
2SC1972

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASI2SC1972isDesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURESINCLUDE: •ReplacesOriginal2SC1972inMostApplications •HighGainReducesDriveRequirements •EconomicalTO-220CEPackage

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI
2SC1972

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(forRFpoweramplifiersonVHFbandMobileradioapplications)

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi
2SC1973

TRANSISTORNPNEPITAXIALPLANAR

2SC1973 RFAmplifierandDriver Features ●Highgain ●HighfT ●LowCob 2SC1980 HighVoltage,Low-noiseAmplifier ComplementaryPairwith2SA921 Features ●HighVCEO ●LowNV 2SC2076 RFAmplifier Features ●SuitableforRFamp.,OSC,mix.andIFamp.inFM/AMradios. ●Largewith

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
2SC1974

SiNPNEpitaxialPlanar

ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2SC1975

SiNPNEpitaxialPlanar

SiNPNEpitaxialPlanar TransceiverPowerOutput Features •Withstandsworstoverloadconditions. •VCBO=120V

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2SC1975

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-BaseBreakdownVoltage:V(BR)CBO=160V(Min) •Withstandsworstoverloadconditions. APPLICATIONS •Designforusedintransceiverpoweroutputapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SC1975

Withstandsworstoverloadconditions.

DESCRIPTION •Collector-BaseBreakdownVoltage:V(BR)CBO=160V(Min) •Withstandsworstoverloadconditions. APPLICATIONS •Designforusedintransceiverpoweroutputapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC1970

0.8to1wattsoutputpoweramplifiersanddriverinVHFbandmobilleradioapplications.

文件：254.94 Kbytes Page：3 Pages

ELEFLOWeleflow technologies co., ltd.

易富乐深圳市易富乐科技有限公司

ELEFLOW
2SC1971

4to5wattsoutputpoweramplifiersinVHFbandapplications.

文件：269.74 Kbytes Page：3 Pages

ELEFLOWeleflow technologies co., ltd.

易富乐深圳市易富乐科技有限公司

ELEFLOW
2SC1972

10to14wattsoutputpoweramplifiersinVHFbandmobileradioapplications.

文件：330.28 Kbytes Page：4 Pages

ELEFLOWeleflow technologies co., ltd.

易富乐深圳市易富乐科技有限公司

ELEFLOW

2SC197产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC197

  • 制造商

    Distributed By MCM

  • 功能描述

    SUB ONLY TRANSISTOR TO-220

2SC197供应商更多...

更新时间：2024-5-5 14:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市博浩通科技有限公司
2SC1971
MITSUBISH
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2SC1971
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2SC1971
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深圳市金华微盛电子有限公司
2SC1971
MITSUBIS
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2SC1971
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