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2SC1972

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)

Mitsubishi

三菱电机

2SC1972

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI 2SC1972 is Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. FEATURES INCLUDE: • Replaces Original 2SC1972 in Most Applications • High Gain Reduces Drive Requirements • Economical TO-220CE Package

ASI

2SC1972

Silicon NPN RF Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 17V(Min) APPLICATIONS · 10 to 14 Watts Output Power Amplifiers In VHF Band Mobile Radio Applications.

ISC

无锡固电

2SC1972

10 to 14 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications.

文件:330.28 Kbytes Page:4 Pages

ELEFLOW

更新时间:2025-8-8 20:00:00
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