| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC1970 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Power Gain- : Gpe≥ 9.2dB,f= 175MHz, PO= 1W; VCC= 13.5V • High Reliability APPLICATIONS • Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. | ISC 无锡固电 |   | |
2SC1970 | 0.8 to 1 watts output power amplifiers and driver in VHF band mobille radio applications. 文件：254.94 Kbytes Page：3 Pages | ELEFLOW | | |
2SC1970 | RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE | MINEBEAMITSUMI 美蓓亚三美 | |
更新时间：2025-12-24 23:51:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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