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2SC1970

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •HighPowerGain- :Gpe≥9.2dB,f=175MHz,PO=1W;VCC=13.5V •HighReliability APPLICATIONS •DesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC1970

0.8to1wattsoutputpoweramplifiersanddriverinVHFbandmobilleradioapplications.

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ELEFLOWeleflow technologies co., ltd.

易富乐深圳市易富乐科技有限公司

ELEFLOW
更新时间:2024-5-24 23:07:00
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