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2SB65晶体管资料

  • 2SB65别名：2SB65三极管、2SB65晶体管、2SB65晶体三极管

  • 2SB65生产厂家：日本富士通公司

  • 2SB65制作材料：Ge-PNP

  • 2SB65性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）

  • 2SB65封装形式：直插封装

  • 2SB65极限工作电压：30V

  • 2SB65最大电流允许值：0.1A

  • 2SB65最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB65引脚数：3

  • 2SB65最大耗散功率：0.15W

  • 2SB65放大倍数：

  • 2SB65图片代号：C-47

  • 2SB65vtest：30

  • 2SB65htest：999900

  • 2SB65atest：0.1

  • 2SB65wtest：0.15

  • 2SB65代换 2SB65用什么型号代替：AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,2SB54,2SB56,3AX55A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB653

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • High power dissipation APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB653

isc Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 60W(Max)@TC=25℃ • Complement to Type 2SD673 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications.

ISC

无锡固电

2SB653

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 60W(Max)@TC=25℃ • Complement to Type 2SD673 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB653A

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair with 2SD673A

SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair with 2SD673A

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SB655

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION · With TO-3 package · Low collector saturation voltage · High power dissipation APPLICATIONS · Power amplifier applications · Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage

SAVANTIC

2SB655

isc Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·High Power Dissipation-: PC= 100W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD675 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.

ISC

无锡固电

2SB656

isc Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·High Power Dissipation- : PC= 125W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD676 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.

ISC

无锡固电

2SB656

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power amplifier applications

SAVANTIC

2SB656

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB653

Silicon PNP Power Transistors

文件：109.86 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB653A

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair with 2SD673A

ETC

知名厂家

2SB654

Silicon PNP Power Transistors

文件：128.27 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB654

Complement to Type 2SD674

文件：82.07 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SB655

Silicon PNP Power Transistors

文件：110.56 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB655

Silicon PNP Power Transistors

文件：126.39 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB656

Silicon PNP Power Transistors

文件：113.63 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB656

Silicon PNP Power Transistors

文件：125.93 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB656_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：362.4 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB656_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：362.4 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB65产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB65

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon PNP Power Transistors

2SB65供应商更多...

更新时间：2025-12-25 8:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SB655
HITACHI/日立
24+
TO 3( )
158432
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深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB668
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深圳市中飞凌科技有限公司
2SB66H
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深圳市一线半导体有限公司
2SB655A
24+
TO-3
10000
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艾睿（深圳）半导体有限公司
2SB673
FUJI/富士电机
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TO-220
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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TO-TO-220
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深圳市河锋鑫科技有限公司
2SB668
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深圳市亿智腾科技有限公司
2SB66
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深圳市盈慧通电子有限公司
2SB66H
ST
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CAN to-39
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