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2SB656中文资料

厂家型号

2SB656

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2

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistors

数据手册

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生产厂商

ISC

2SB656数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -160V(Min)

·High Power Dissipation-

: PC= 125W(Max)@TC=25℃

·Complement to Type 2SD676

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

2SB656产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB656

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon PNP Power Transistors

更新时间:2026-8-1 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-3
10000
全新

2SB656 晶体管资料

  • 2SB656(A)别名:2SB656(A)三极管、2SB656(A)晶体管、2SB656(A)晶体三极管

  • 2SB656(A)生产厂家:日本日立公司

  • 2SB656(A)制作材料:Si-PNP

  • 2SB656(A)性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SB656(A)封装形式:直插封装

  • 2SB656(A)极限工作电压:160V

  • 2SB656(A)最大电流允许值:12A

  • 2SB656(A)最大工作频率:20MHZ

  • 2SB656(A)引脚数:2

  • 2SB656(A)最大耗散功率:125W

  • 2SB656(A)放大倍数

  • 2SB656(A)图片代号:E-44

  • 2SB656(A)vtest:160

  • 2SB656(A)htest:20000000

  • 2SB656(A)atest:12

  • 2SB656(A)wtest:125

  • 2SB656(A)代换 2SB656(A)用什么型号代替:MJ15016,2N6031,2N6379,2SA909,2SA1116,2SA1117,2SB554,3CD10E,