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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SB656	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·High Power Dissipation- : PC= 125W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD676 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SB656	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power amplifier applications	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB656	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power amplifier applications	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB656	Silicon PNP Power Transistors 文件：113.63 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB656	Silicon PNP Power Transistors 文件：125.93 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB656_15	Silicon PNP Power Transistors 文件：362.4 Kbytes Page：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB656_2014	Silicon PNP Power Transistors 文件：362.4 Kbytes Page：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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更新时间：2025-10-31 11:20:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
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2023-2-9
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9