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型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
2SB656	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power amplifier applications	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB656	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power amplifier applications	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB656	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·High Power Dissipation- : PC= 125W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD676 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.	ISC 无锡固电	ISC
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2SB656	Silicon PNP Power Transistors 文件：125.93 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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更新时间：2025-8-7 19:10:00

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2021-9-10
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2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9