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2SB655中文资料

厂家型号

2SB655

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功能描述

isc Silicon PNP Power Transistors

数据手册

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生产厂商

ISC

2SB655数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -160V(Min)

·High Power Dissipation-: PC= 100W(Max)@TC=25℃

·Complement to Type 2SD675

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

2SB655产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB655

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon PNP Power Transistors

更新时间:2025-10-12 20:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
24+
TO 3( )
158432
明嘉莱只做原装正品现货
24+
TO-3
10000
HITACHI/日立
23+
TO-3
23650
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
NEC
24+
CAN3
6540
原装现货/欢迎来电咨询
SANYO
16+
TO-126
100000
全新原装现货
MAT
24+
TO-220
5000
只做原装公司现货
MAT
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
MAT
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装
MAT
24+
NA/
26
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
24+
N/A
54000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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