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位置：首页 > IC中文资料第10452页 > 2SB1197

2SB1197晶体管资料

  • 2SB1197K别名：2SB1197K三极管、2SB1197K晶体管、2SB1197K晶体三极管

  • 2SB1197K生产厂家：TOY

  • 2SB1197K制作材料：Si-PNP

  • 2SB1197K性质：表面帖装型 （SMD）_低频或音频放大 （LF）

  • 2SB1197K封装形式：贴片封装

  • 2SB1197K极限工作电压：40V

  • 2SB1197K最大电流允许值：0.8A

  • 2SB1197K最大工作频率：200MHZ

  • 2SB1197K引脚数：3

  • 2SB1197K最大耗散功率：

  • 2SB1197K放大倍数：

  • 2SB1197K图片代号：H-15

  • 2SB1197Kvtest：40

  • 2SB1197Khtest：200000000

  • 2SB1197Katest：.8

  • 2SB1197Kwtest：0

  • 2SB1197K代换 2SB1197K用什么型号代替：BCW67,BCW68,2SA1621,2SB624,2SB779,2SB815,

2SB1197价格

参考价格：￥0.2459

型号：2SB1197KT146Q 品牌：Rohm 备注：这里有2SB1197多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1197批发/采购报价，2SB1197行情走势销售排行榜，2SB1197报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1197

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SmallPackage •Mounting:anyposition •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Smallsurfacemountingtype. ●Corredtorpeakcurrent(Max.=1000mA). ●Suitableforhighpackingdensity. ●Lowvoltage(Max.=40v). ●Highsaturationcurrentcapability. ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATIONS ●Telephoneandprofessionalcommunicationequipment. ●

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SB1197

PNPEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) •IC=-0.8A •Complementsofthe2SD1781

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SB1197

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SB1197

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SB1197

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件：698.92 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SB1197

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：419.5 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SB1197

Telephoneandprofessionalcommunicationequipment.

文件：1.32068 Mbytes Page：2 Pages

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
2SB1197

LowFrequencyTransistor

文件：325.58 Kbytes Page：2 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SB1197A

PNPLowVce(sat)Transistor

Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
2SB1197A_R1_00001

PNPLowVce(sat)Transistor

Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
2SB1197A_R2_00001

PNPLowVce(sat)Transistor

Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
2SB1197K

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SB1197K

LowFrequencyTransistor

FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) •IC=-0.8A

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SB1197K

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1197K

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-800mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL
2SB1197K

PNPGeneralPurposeTransistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
2SB1197K

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-800mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SB1197K

LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)

Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)≤0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mAͅ) 2)IC=-0.8A. 3)Complementsthe2SD1781K.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1197K

SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1781K. Applications Lowfrequencyamplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SB1197KPT

PNPSwitchingTransistor

VOLTAGE32VoltsCURRENT0.8Ampere FEATURE *Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) *Correctorpeakcurrent(Max.=1000mA). *Suitableforhighpackingdensity. *Lowvoltage(Max.=40V). *Highsaturationcurrentcapability. *Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *Telepho

CHENMKOCHENMKO

CHENMKO

CHENMKO
2SB1197KQ

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SB1197KR

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SB1197KXLT1

LowFrequencyTransistor

PNPSilicon FEATURE ●Highcurrentcapacityincompactpackage.IC=í0.8A. ●Epitaxialplanartype. ●NPNcomplement:2SD1781K ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG Halog

WILLASWILLAS electronics corp

威倫威倫电子股份有限公司

WILLAS
2SB1197-P

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SmallPackage •Mounting:anyposition •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197-Q

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SmallPackage •Mounting:anyposition •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197-R

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SmallPackage •Mounting:anyposition •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197/K-Q

PNPTransistors

文件：941.28 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1197_07

PNPGeneralPurposeTransistors

文件：236.71 Kbytes Page：3 Pages

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
2SB1197_0712

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：412.68 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SB1197_10

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件：698.92 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SB1197_13

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：419.5 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SB1197_15

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件：698.92 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SB1197_15

PNPTransistors

文件：941.28 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1197K

LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)

文件：53.25 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1197K

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1197K

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1197K

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件：626.33 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SB1197K_08

LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)

文件：53.25 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1197K_10

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件：626.33 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SB1197K_15

TRANSISTOR(PNP)

文件：136.93 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SB1197K_15

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件：626.33 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SB1197KQ

LowFrequencyTransistorPNPSilicon

文件：673.44 Kbytes Page：3 Pages

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亞昕科技亞昕科技股份有限公司

YEASHIN
2SB1197KQ

GENERALPURPOSETRANSISTORS

文件：484.58 Kbytes Page：6 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI
2SB1197KR

GENERALPURPOSETRANSISTORS

文件：484.58 Kbytes Page：6 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI
2SB1197KR

LowFrequencyTransistorPNPSilicon

文件：673.44 Kbytes Page：3 Pages

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亞昕科技亞昕科技股份有限公司

YEASHIN
2SB1197KT146Q

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1197KT146Q

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1197KT146R

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1197KT146R

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1197-P

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：257.82 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197-P_11

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：183.34 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197-P_13

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：257.82 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197-Q

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：257.82 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197-Q

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：183.34 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197-R

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：257.82 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SB1197-R

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：183.34 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC

2SB1197产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1197

  • 制造商

    SECOS

  • 制造商全称

    SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

  • 功能描述

    PNP Epitaxial Planar Transistor

2SB1197供应商更多...

更新时间：2024-4-30 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科芯源微电子有限公司
2SB1197KFRA
ROHM/罗姆
23+
SOT-346
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市航宇科工半导体有限公司
2SB1197
CJ/长电
22+
SOT23
600000
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SB1197A_R1_00001
Panjit International Inc.
23+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SB1197
CJ/长电
24+
SOT23
157328
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市振宏微科技有限公司
2SB1197
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
深圳市卓越微芯电子有限公司
2SB1197KT146R
ROHM
2020+
SOT-346
12000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
深圳市环球伟业电子有限公司
2SB1197
CJ
21+
SOT-23
17927
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SB1197
CJ/长电
22+
SOT23
9870
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司
2SB1197AHR
CJ/长晶
22+
SOT-23
20000
原装正品支持实单
询价
深圳市航润创能电子集团有限公司
2SB1197KT146R
ROHM/罗姆
21+
SC-59-3
166785
只做原装,假一罚十
询价

2SB1197芯片相关品牌

  • ACT
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  • 2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2023-3-14

  • 2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单价格优势有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

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