2SB1197晶体管资料

  • 2SB1197K别名:2SB1197K三极管、2SB1197K晶体管、2SB1197K晶体三极管

  • 2SB1197K生产厂家:TOY

  • 2SB1197K制作材料:Si-PNP

  • 2SB1197K性质:表面帖装型 (SMD)_低频或音频放大 (LF)

  • 2SB1197K封装形式:贴片封装

  • 2SB1197K极限工作电压:40V

  • 2SB1197K最大电流允许值:0.8A

  • 2SB1197K最大工作频率:200MHZ

  • 2SB1197K引脚数:3

  • 2SB1197K最大耗散功率

  • 2SB1197K放大倍数

  • 2SB1197K图片代号:H-15

  • 2SB1197Kvtest:40

  • 2SB1197Khtest:200000000

  • 2SB1197Katest:0.8

  • 2SB1197Kwtest:0

  • 2SB1197K代换 2SB1197K用什么型号代替:BCW67,BCW68,2SA1621,2SB624,2SB779,2SB815,

2SB1197价格

参考价格:¥0.2459

型号:2SB1197KT146Q 品牌:Rohm 备注:这里有2SB1197多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SB1197批发/采购报价,2SB1197行情走势销售排行榜,2SB1197报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1197

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SmallPackage •Mounting:anyposition •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1197

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Smallsurfacemountingtype. ●Corredtorpeakcurrent(Max.=1000mA). ●Suitableforhighpackingdensity. ●Lowvoltage(Max.=40v). ●Highsaturationcurrentcapability. ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATIONS ●Telephoneandprofessionalcommunicationequipment. ●

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SB1197

PNPEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) •IC=-0.8A •Complementsofthe2SD1781

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1197

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SB1197

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SB1197

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件:698.92 Kbytes Page:2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1197

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件:419.5 Kbytes Page:4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SB1197

Telephoneandprofessionalcommunicationequipment.

文件:1.32068 Mbytes Page:2 Pages

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
2SB1197

LowFrequencyTransistor

文件:325.58 Kbytes Page:2 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE

PNPLowVce(sat)Transistor

Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

PNPLowVce(sat)Transistor

Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

PNPLowVce(sat)Transistor

Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY

LowFrequencyTransistor

FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) •IC=-0.8A

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-800mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TEL

PNPGeneralPurposeTransistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-800mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN

LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)

Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)≤0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mAͅ) 2)IC=-0.8A. 3)Complementsthe2SD1781K.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1781K. Applications Lowfrequencyamplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

PNPSwitchingTransistor

VOLTAGE32VoltsCURRENT0.8Ampere FEATURE *Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) *Correctorpeakcurrent(Max.=1000mA). *Suitableforhighpackingdensity. *Lowvoltage(Max.=40V). *Highsaturationcurrentcapability. *Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *Telepho

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

CHENMKO

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY

LowFrequencyTransistor

PNPSilicon FEATURE ●Highcurrentcapacityincompactpackage.IC=í0.8A. ●Epitaxialplanartype. ●NPNcomplement:2SD1781K ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG Halog

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威伦威伦电子股份有限公司

WILLAS

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SmallPackage •Mounting:anyposition •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SmallPackage •Mounting:anyposition •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SmallPackage •Mounting:anyposition •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPTransistors

文件:941.28 Kbytes Page:2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

PNPGeneralPurposeTransistors

文件:236.71 Kbytes Page:3 Pages

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件:412.68 Kbytes Page:4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件:698.92 Kbytes Page:2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件:419.5 Kbytes Page:4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件:698.92 Kbytes Page:2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

PNPTransistors

文件:941.28 Kbytes Page:2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)

文件:53.25 Kbytes Page:3 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

文件:58.97 Kbytes Page:3 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

文件:58.97 Kbytes Page:3 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件:626.33 Kbytes Page:2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)

文件:53.25 Kbytes Page:3 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件:626.33 Kbytes Page:2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

TRANSISTOR(PNP)

文件:136.93 Kbytes Page:1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件:626.33 Kbytes Page:2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

LowFrequencyTransistorPNPSilicon

文件:673.44 Kbytes Page:3 Pages

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亚昕科技亚昕科技股份有限公司

YEASHIN

GENERALPURPOSETRANSISTORS

文件:484.58 Kbytes Page:6 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI

GENERALPURPOSETRANSISTORS

文件:484.58 Kbytes Page:6 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI

LowFrequencyTransistorPNPSilicon

文件:673.44 Kbytes Page:3 Pages

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亚昕科技亚昕科技股份有限公司

YEASHIN

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

文件:58.97 Kbytes Page:3 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

文件:58.97 Kbytes Page:3 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件:257.82 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件:183.34 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件:257.82 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件:257.82 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件:183.34 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件:257.82 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件:183.34 Kbytes Page:2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

PNPTransistors

文件:941.28 Kbytes Page:2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

2SB1197产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1197

  • 制造商

    SECOS

  • 制造商全称

    SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

  • 功能描述

    PNP Epitaxial Planar Transistor

更新时间:2025-6-15 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM(罗姆)
24+
SOT233L
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
ROHM/罗姆
24+
NA/
6687
原装现货,当天可交货,原型号开票
ROHM
2016+
SOT23
2630
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ROHM/罗姆
23+
SOT-346
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
ROHM
24+
SOT23
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
ROHM/罗姆
2023+
SOT-23
29893
十五年行业诚信经营,专注全新正品
ROHM
2024
SOT23-3
55200
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
25+23+
SOT-23
37540
绝对原装正品全新进口深圳现货
ROHM/罗姆
22+
SMT3
8000
原装正品支持实单
ROHM/罗姆
21+
SC-59-3
12820
只做原装,质量保证

2SB1197芯片相关品牌

  • ALLEN-BRADLEY
  • AVAGO
  • DAESAN
  • HONEYWELL-ACC
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  • IXYS
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  • MMD
  • NJSEMI
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2SB1197数据表相关新闻

  • 2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2023-3-14
  • 2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1
  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单价格优势有单必成

    2022-3-30
  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10
  • 2SA2198

    2SA2198,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24
  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下:·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS(“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息)·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9