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2SB1197A_R2_00001

PNP Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.5V(max)@Ic/Ib= -2A/-200mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free)

PANJIT

強茂

更新时间:2025-10-7 16:02:00
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