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位置：首页 > IC中文资料第6840页 > 2SB110

2SB110晶体管资料

  • 2SB110别名：2SB110三极管、2SB110晶体管、2SB110晶体三极管

  • 2SB110生产厂家：日本日电公司

  • 2SB110制作材料：Ge-PNP

  • 2SB110性质：低频或音频放大 （LF）

  • 2SB110封装形式：直插封装

  • 2SB110极限工作电压：25V

  • 2SB110最大电流允许值：0.05A

  • 2SB110最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB110引脚数：3

  • 2SB110最大耗散功率：0.1W

  • 2SB110放大倍数：β>18

  • 2SB110图片代号：C-47

  • 2SB110vtest：25

  • 2SB110htest：999900

  • 2SB110atest：0.05

  • 2SB110wtest：0.1

  • 2SB110代换 2SB110用什么型号代替：AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,2SB54,2SB56,3AX51B,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1101

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1601,2SD1602

Application Low frequency power amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1101

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1101

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1101

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1101

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -60V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -2A) • Complement to Type 2SD1601 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1102

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SD1602 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1102

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SD1602 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1102

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SD1602 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1102

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1601,2SD1602

Application Low frequency power amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1103

Silicon PNP Triple Diffused

Application Low frequency power amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1103

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1103

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1103

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1105

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1.5 • Complement to Type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1106

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1106

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1106

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1108

Medium Speed Switching Complementary Pair with 2SD1608

Medium Speed Switching Complementary Pair with 2SD1608 Features • High DC current gain (hFE) • High speed switching • FULL Pack package for simplified mounting on a heat sink with one screw

Panasonic

松下

2SB1109

SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER)

COMPLEMENTARY PAIR 2SD1609 and 2SD1610 (NPN)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1100

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件：154.09 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SB1100

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件：183.28 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1101

Silicon PNP Power Transistors

文件：100.76 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1101_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：162.43 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1101_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：162.43 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1102

Silicon PNP Power Transistors

文件：93.01 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1102

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件：186.44 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1102

BJT 双极性三极管

ETC

知名厂家

2SB1102_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：156.32 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1102_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：156.32 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1103

Silicon PNP Power Transistors

文件：101.53 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1103

Silicon PNP Triple Diffused

文件：152.74 Kbytes Page：8 Pages

RENESAS

瑞萨

2SB1103

Silicon PNP Triple Diffused

RENESAS

瑞萨

2SB1103_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：158.19 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1103_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：158.19 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

文件：98.28 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1105_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：153.64 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1105_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：153.64 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1106

Silicon PNP Power Transistors

文件：98.77 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1106_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：161.52 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1106_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：161.52 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1108

Silicon PNP Epitaxial Planar Darlington Type

Panasonic

松下

2SB110产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB110

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    Silicon PNP Power Transistors

2SB110供应商更多...

更新时间：2025-12-24 23:01:00
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深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1109
HITACHI/日立
24+
NA/
6340
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2SB1110
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2SB1109
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深圳市中飞凌科技有限公司
2SB111
ST
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60000
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深圳市一线半导体有限公司
2SB1109C
HITACHI
24+
TO-126
68000
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深圳市创新迹电子有限公司
2SB1109
HITACHI/日立
22+
TO-126
20000
公司只有原装 品质保证
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艾睿（深圳）半导体有限公司
2SB1109
HITACHI/日立
2447
TO-126
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    2023-3-14

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    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单 价格优势 有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

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