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2SB110晶体管资料

  • 2SB110别名：2SB110三极管、2SB110晶体管、2SB110晶体三极管

  • 2SB110生产厂家：日本日电公司

  • 2SB110制作材料：Ge-PNP

  • 2SB110性质：低频或音频放大 （LF）

  • 2SB110封装形式：直插封装

  • 2SB110极限工作电压：25V

  • 2SB110最大电流允许值：0.05A

  • 2SB110最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB110引脚数：3

  • 2SB110最大耗散功率：0.1W

  • 2SB110放大倍数：β>18

  • 2SB110图片代号：C-47

  • 2SB110vtest：25

  • 2SB110htest：999900

  • 2SB110atest：0.05

  • 2SB110wtest：0.1

  • 2SB110代换 2SB110用什么型号代替：AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,2SB54,2SB56,3AX51B,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1101

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1601,2SD1602

Application Low frequency power amplifier

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1101

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1101

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1101

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1101

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -60V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -2A) • Complement to Type 2SD1601 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1102

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SD1602 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1102

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SD1602 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1102

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SD1602 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1102

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1601,2SD1602

Application Low frequency power amplifier

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1103

Silicon PNP Triple Diffused

Application Low frequency power amplifier

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1103

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1103

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1103

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1103

Silicon PNP Triple Diffused

Application\nLow frequency power amplifier

RENESAS

瑞萨

2SB1105

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1.5 • Complement to Type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1106

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SB1106

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1106

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1108

Medium Speed Switching Complementary Pair with 2SD1608

Medium Speed Switching Complementary Pair with 2SD1608 Features • High DC current gain (hFE) • High speed switching • FULL Pack package for simplified mounting on a heat sink with one screw

PANASONIC

松下

2SB1108

Silicon PNP Epitaxial Planar Darlington Type

Medium Speed Switching Complementary Pair with 2SD1608 • High DC current gain (hFE)\n• High speed switching\n• \"FULL Pack\" package for simplified mounting on a heat sink with one screw;

PANASONIC

松下

2SB1109

SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER)

COMPLEMENTARY PAIR 2SD1609 and 2SD1610 (NPN)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1100

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件：154.09 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SB1100

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件：183.28 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1101

Silicon PNP Power Transistors

文件：100.76 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1101_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：162.43 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1101_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：162.43 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1102

Silicon PNP Power Transistors

文件：93.01 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1102

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件：186.44 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1102

BJT 双极性三极管

SPTECH

2SB1102_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：156.32 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1102_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：156.32 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1103

Silicon PNP Power Transistors

文件：101.53 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1103

Silicon PNP Triple Diffused

文件：152.74 Kbytes Page：8 Pages

RENESAS

瑞萨

2SB1103_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：158.19 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1103_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：158.19 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1105

Silicon PNP Power Transistors

文件：98.28 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1105_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：153.64 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1105_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：153.64 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1106

Silicon PNP Power Transistors

文件：98.77 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SB1106_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：161.52 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1106_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：161.52 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB110产品属性

  • 类型

    描述

  • IC(A)：

    -4

  • Vcbo(V)：

    -80

  • Vceo(V)：

    -80

  • HFE：

    1K-20K

  • 封装：

    TO-220

  • 备注：

    Darlington

2SB110供应商更多...

更新时间：2026-5-14 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2SB1109B-AZ
UTG
23+
TO-126
380000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
2SB1114
NEC
25+23+
Sot-89
32936
绝对原装正品全新进口深圳现货
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深圳市赛特兴科技有限公司
2SB111
ST
23+
CAN to-39
16900
正规渠道,只有原装!
询价
艾睿（深圳）半导体有限公司
2SB1109
HITACHI/日立
2447
TO-126
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
深圳市威尔健半导体有限公司
2SB1109C
HITACHI/日立
23+
SIP-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市一线半导体有限公司
2SB1109C
HITACHI
24+
TO-126
68000
询价
深圳市豪迈兴电子有限公司
2SB111
NEC
24+
CAN3
4231
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
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深圳市中飞凌科技有限公司
2SB111
ST
26+
CAN to-39
60000
只有原装 可配单
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深圳市腾亿芯科技有限公司
2SB111
ST
25+
CAN to-39
20000
原装，请咨询
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
2SB1109
HITACHI
24+
TO-126
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
询价

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    2023-3-14

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    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

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    支持实单 价格优势 有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

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