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2SB1103	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications	SAVANTIC	SAVANTIC
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2SB1103	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications	ISC 无锡固电	ISC
2SB1103	Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1103	Silicon PNP Triple Diffused 文件：152.74 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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2SB1103_15	Silicon PNP Power Transistors 文件：158.19 Kbytes Page：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1103_2014	Silicon PNP Power Transistors 文件：158.19 Kbytes Page：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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更新时间：2025-10-29 23:00:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
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2022-3-30
2SB649 MOS
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2021-9-10
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2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-24
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9