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2SB1101晶体管资料
2SB1101别名：2SB1101三极管、2SB1101晶体管、2SB1101晶体三极管
2SB1101生产厂家：日本日立公司
2SB1101制作材料：Si-P+Darl+Di
2SB1101性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2SB1101封装形式：直插封装
2SB1101极限工作电压：60V
2SB1101最大电流允许值：4A
2SB1101最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1101引脚数：3
2SB1101最大耗散功率：40W
2SB1101放大倍数：β>1000
2SB1101图片代号：B-10
2SB1101vtest：60
2SB1101htest：999900
- 2SB1101atest：4
2SB1101wtest：40
2SB1101代换 2SB1101用什么型号代替：BD716,BD718,BDW54A,BDW54B,BDW54C,BDW54D,BDW64B,BDW64C,BDW64D,2SB676,2SB880,2SB950,2SB1341,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1101 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1601,2SD1602 Application Low frequency power amplifier | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | |
2SB1101 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications | SAVANTIC | | |
2SB1101 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications | JMNIC 锦美电子 | | |
2SB1101 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications | ISC 无锡固电 | | |
2SB1101 | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -60V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -2A) • Complement to Type 2SD1601 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
2SB1101 | Silicon PNP Power Transistors 文件：100.76 Kbytes Page：3 Pages | SAVANTIC | | |
2SB1101 | Silicon PNP Triple Diffused | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | |
Silicon PNP Power Transistors 文件：162.43 Kbytes Page：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
Silicon PNP Power Transistors 文件：162.43 Kbytes Page：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | |
2SB1101产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB1101
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
Silicon PNP Power Transistors
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HIT |
23+ |
TO-126 |
5000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
HITACHI |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
||||
HITACHI/日立 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
HIT |
24+ |
原厂封装 |
2000 |
原装现货假一罚十 |
|||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220 |
22430 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
MAT |
16+ |
TO-220 |
100000 |
全新原装现货 |
2SB1101规格书下载地址
2SB1101参数引脚图相关
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- 3g汽车
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2023-3-142SA928AL-TO92NLB-Y-TG
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
2023-2-12SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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