您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第491页 > 2SA812

2SA812晶体管资料

  • 2SA812别名：2SA812三极管、2SA812晶体管、2SA812晶体三极管

  • 2SA812生产厂家：日本日电公司

  • 2SA812制作材料：Si-PNP

  • 2SA812性质：表面帖装型 （SMD）_通用型 （Uni）

  • 2SA812封装形式：贴片封装

  • 2SA812极限工作电压：60V

  • 2SA812最大电流允许值：0.1A

  • 2SA812最大工作频率：180MHZ

  • 2SA812引脚数：3

  • 2SA812最大耗散功率：0.2W

  • 2SA812放大倍数：

  • 2SA812图片代号：H-15

  • 2SA812vtest：60

  • 2SA812htest：180000000

  • 2SA812atest：0.1

  • 2SA812wtest：0.2

  • 2SA812代换 2SA812用什么型号代替：BC856,BCW68,BCW89,BCX17,2SA1311,3CG110C,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SA812

AUDIOFREQUENCY,GENERALPURPOSEAMPLIFIERPNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD

FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=−6.0V,IC=−1.0mA)) •HighVoltage:VCEO=−50V

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SA812

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TEL
2SA812

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA812

PNPSiliconEpitaxialTransistor

Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ●Complementaryto2SC1623 ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ●HighVoltage:Vceo=-50V

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SA812

TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description Designedforaudiofrequencyamplifierapplications.

DCCOM

Dc Components

DCCOM
2SA812

PNPGeneralPurposeTransistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SA812

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SA812

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SA812

PNPGeneralPurposeTransistor

■FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司

GSME
2SA812

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) •HighVoltage:Vceo=-50V

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SA812

Plastic-EncapsulateTransistors

Features: 1.hFEishigh,hFE=200(TYP)VCE=-6V,IC=-1mA; 2.Highvoltage,VCEO=-50V; Applications: Forgeneralamplification,itiscomplementaryto2SC1623.

SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD.

三联盛科技股份深圳市三联盛科技股份有限公司

SHENZHENSLS
2SA812

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH
2SA812

SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SC1623. Applications Audiofrequencyamplifierapplication.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SA812

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
2SA812

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES •Commplementaryto2SC1623. •HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) •HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS •Audiofrequency,generalpurposeamplifier.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SA812

PNPSiliconEpitaxialTransistor

Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SA812

SILICONTRANSISTOR

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR MINIMOLD FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=−6.0V,IC=−1.0mA) •HighVoltage:VCEO=−50V ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25°C) CollectortoBaseVoltageVCBO−60V CollectortoEmitterVoltageVCEO−50

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SA812

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣电子唯圣电子有限公司

GWSEMI
2SA812

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

文件：1.70898 Mbytes Page：5 Pages

JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

晶恒济南晶恒电子有限责任公司

JINGHENG
2SA812

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：175.65 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA812

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：219.91 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA812

SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)

文件：294.38 Kbytes Page：2 Pages

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON
2SA812A

SILICONTRANSISTOR

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR MINIMOLD FEATURES •Complementaryto2SC1623A •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=−6.0V,IC=−1.0mA) •HighVoltage:VCEO=−50V ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25°C) CollectortoBaseVoltageVCBO−60V CollectortoEmitterVoltageVCEO−50

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SA812K

PNPEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES •Complementaryto2SC1623K •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) •HighVoltage:VCEO=-50V

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SA812-M4

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighDCCurrentGain:90ЉhFEЉ600.(VCE=-6.0V,IC=-1mA) •Highvoltage:VCEO=-50V •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailable

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M5

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighDCCurrentGain:90ЉhFEЉ600.(VCE=-6.0V,IC=-1mA) •Highvoltage:VCEO=-50V •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailable

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M6

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighDCCurrentGain:90ЉhFEЉ600.(VCE=-6.0V,IC=-1mA) •Highvoltage:VCEO=-50V •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailable

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M7

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighDCCurrentGain:90ЉhFEЉ600.(VCE=-6.0V,IC=-1mA) •Highvoltage:VCEO=-50V •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailable

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812Q

GeneralPurposeTransistors

FEATURE ●HighVoltage:VCEO=-50V. ●Epitaxialplanartype. ●NPNcomplement:2SC1623 ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite andControlChangeRequirements;AEC-Q101Qualified

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亚昕科技亚昕科技股份有限公司

YEASHIN
2SA812R

GeneralPurposeTransistors

FEATURE ●HighVoltage:VCEO=-50V. ●Epitaxialplanartype. ●NPNcomplement:2SC1623 ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite andControlChangeRequirements;AEC-Q101Qualified

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亚昕科技亚昕科技股份有限公司

YEASHIN
2SA812S

GeneralPurposeTransistors

FEATURE ●HighVoltage:VCEO=-50V. ●Epitaxialplanartype. ●NPNcomplement:2SC1623 ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite andControlChangeRequirements;AEC-Q101Qualified

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亚昕科技亚昕科技股份有限公司

YEASHIN
2SA812-T1B

AUDIOFREQUENCY,GENERALPURPOSEAMPLIFIERPNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD

FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=−6.0V,IC=−1.0mA)) •HighVoltage:VCEO=−50V

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SA812_0712

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：230.77 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA812_12

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：219.91 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA812_15

PNPTransistors

文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812_15

TRANSISTOR

文件：136.58 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SA812_15

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD

文件：334.39 Kbytes Page：6 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SA812_17

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：175.65 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA812-HF_15

PNPTransistors

文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812K_15

PNPEpitaxialPlanarTransistor

文件：249.25 Kbytes Page：2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SA812-M4

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M4

PNPTransistors

文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812-M4_13

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M4-AP

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 50V 0.1A SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M4-HF

PNPTransistors

文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812-M5

PNPTransistors

文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812-M5

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M5-AP

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 50V 0.1A SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M5-HF

PNPTransistors

文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812-M6

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M6

PNPTransistors

文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812-M6-HF

PNPTransistors

文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812-M7

PNPTransistors

文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812-M7

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SA812-M7-HF

PNPTransistors

文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA812XLT1

GeneralPurposeTransistors

文件：351.31 Kbytes Page：5 Pages

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威伦威伦电子股份有限公司

WILLAS

2SA812产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA812

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

2SA812供应商更多...

更新时间：2025-6-14 14:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市仟禧电子有限公司
2SA812
CJ/长电
22+
SOT-23
20000
深圳原装现货正品有单价格可谈
询价
深圳市凌旭科技有限公司
2SA812-T2B/JM
NEC
2016+
SOT23-3
4000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
2SA812
长电
25+23+
SOT-23
23862
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
深圳市一线半导体有限公司
2SA812
CD
24+
SOT-23
15200
新进库存/原装
询价
深圳市莱克讯科技有限公司
2SA812
NEC
1922+
SOT-23
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
询价
千层芯半导体(深圳)有限公司
2SA812
NEC
24+
SOT23-3
5000
原装现货
询价
深圳兆威电子有限公司
2SA812
CJ/长电
22+
SOT-23
243000
原装正品现货,可开13点税
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
2SA812
NEC
24+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市能元时代电子有限公司
2SA812-T1B-A/S6
RENESAS/瑞萨
23+
na
28650
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优
询价
深圳市威雅利发展有限公司
2SA812
长电JCET
18+
81000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价

2SA812芯片相关品牌

  • AIMTEC
  • ANPEC
  • BELDEN
  • BURR-BROWN
  • CYSTEKEC
  • Dialight
  • HONGFA
  • JDSU
  • Rubycon
  • SANYOU
  • SENSORTECHNICS
  • XTAITQ

2SA812规格书下载地址

2SA812参数引脚图相关

2SA812数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2025 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示