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2SA812晶体管资料

2SA812别名：2SA812三极管、2SA812晶体管、2SA812晶体三极管
2SA812生产厂家：日本日电公司
2SA812制作材料：Si-PNP
2SA812性质：表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
2SA812封装形式：贴片封装
2SA812极限工作电压：60V
2SA812最大电流允许值：0.1A
2SA812最大工作频率：180MHZ
2SA812引脚数：3
2SA812最大耗散功率：0.2W
2SA812放大倍数：
2SA812图片代号：H-15
2SA812vtest：60
2SA812htest：180000000
2SA812atest：0.1
2SA812wtest：0.2

2SA812代换 2SA812用什么型号代替：BC856,BCW68,BCW89,BCX17,2SA1311,3CG110C,

型号	功能描述	生产厂家&企业
2SA812	AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • Complementary to 2SC1623 • High DC Current Gain: hFE= 200 TYP. (VCE= −6.0 V, IC= −1.0 mA) ) • High Voltage: VCEO= −50 V	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社
2SA812	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
2SA812	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Commplementary to 2SC1623. ● High DC current gain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ● High Voltage: VCEO=-50V. APPLICATIONS ● Audio frequency, general purpose amplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
2SA812	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) ● High Voltage: VCEO = -50 V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Complementary to 2SC1623 ● High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ● High Voltage: Vceo=-50V	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
2SA812	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for audio frequency amplifier applications.	DCCOM Dc Components
2SA812	PNP General Purpose Transistors PNP General Purpose Transistors P/b Lead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology
2SA812	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to 2SC1623 High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) High Voltage: Vceo=-50V	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SA812	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司
2SA812	PNP General Purpose Transistor ■ FEATURES PNP General Purpose Transistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司
2SA812	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES • Complementary to 2SC1623 • High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) • High Voltage: Vceo=-50V	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司
2SA812	Plastic-Encapsulate Transistors Features: 1. hFE is high, hFE=200(TYP) VCE=-6V, IC=-1mA; 2. High voltage, VCEO=-50V; Applications: For general amplification, it is complementary to 2SC1623.	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三联盛科技股份深圳市三联盛科技股份有限公司
2SA812	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to 2SC1623 High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) High Voltage: Vceo=-50V	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司
2SA812	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Complementary pair with 2SC1623. Applications Audio frequency amplifier application.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SA812	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Commplementary to 2SC1623. ● High DC current gain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ● High Voltage: VCEO=-50V. APPLICATIONS ● Audio frequency, general purpose amplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
2SA812	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES • Commplementary to 2SC1623. • High DC current gain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) • High Voltage: VCEO=-50V. APPLICATIONS • Audio frequency, general purpose amplifier.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司
2SA812	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) ● High Voltage: VCEO = -50 V	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SA812	SILICON TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • Complementary to 2SC1623 • High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA) • High Voltage: VCEO = −50 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) Collector to Base Voltage VCBO −60 V Collector to Emitter Voltage VCEO −50	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SA812	Plastic-Encap sulate Transistors FEATURES Complementary to 2SC1623 High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) High Voltage: Vceo=-50V	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司
2SA812	PNP Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.70898 Mbytes Page：5 Pages	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司
2SA812	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：175.65 Kbytes Page：4 Pages	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
2SA812	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：219.91 Kbytes Page：4 Pages	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
2SA812	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) 文件：294.38 Kbytes Page：2 Pages	RECTRON Rectron Semiconductor
2SA812A	SILICON TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • Complementary to 2SC1623A • High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA) • High Voltage: VCEO = −50 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) Collector to Base Voltage VCBO −60 V Collector to Emitter Voltage VCEO −50	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SA812K	PNP Epitaxial Planar Transistor FEATURES • Complementary to 2SC1623K • High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6V, IC = -1mA) • High Voltage: VCEO = -50V	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司
2SA812-M4	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High DC Current Gain:90Љ hFEЉ 600.(VCE=-6.0V, IC=-1mA) • High voltage: VCEO=-50V • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M5	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High DC Current Gain:90Љ hFEЉ 600.(VCE=-6.0V, IC=-1mA) • High voltage: VCEO=-50V • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M6	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High DC Current Gain:90Љ hFEЉ 600.(VCE=-6.0V, IC=-1mA) • High voltage: VCEO=-50V • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M7	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High DC Current Gain:90Љ hFEЉ 600.(VCE=-6.0V, IC=-1mA) • High voltage: VCEO=-50V • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812Q	General Purpose Transistors FEATURE ● High Voltage: VCEO = -50 V. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: 2SC1623 ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司
2SA812R	General Purpose Transistors FEATURE ● High Voltage: VCEO = -50 V. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: 2SC1623 ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司
2SA812S	General Purpose Transistors FEATURE ● High Voltage: VCEO = -50 V. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: 2SC1623 ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司
2SA812-T1B	AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • Complementary to 2SC1623 • High DC Current Gain: hFE= 200 TYP. (VCE= −6.0 V, IC= −1.0 mA) ) • High Voltage: VCEO= −50 V	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社
2SA812_0712	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：230.77 Kbytes Page：4 Pages	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
2SA812_12	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：219.91 Kbytes Page：4 Pages	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
2SA812_15	PNP Transistors 文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812_15	TRANSISTOR 文件：136.58 Kbytes Page：1 Pages	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司
2SA812_15	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD 文件：334.39 Kbytes Page：6 Pages	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SA812_17	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：175.65 Kbytes Page：4 Pages	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
2SA812-HF_15	PNP Transistors 文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812K_15	PNP Epitaxial Planar Transistor 文件：249.25 Kbytes Page：2 Pages	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司
2SA812-M4	PNP Silicon Epitaxial Transistors 文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M4	PNP Transistors 文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812-M4_13	PNP Silicon Epitaxial Transistors 文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M4-AP	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：带盒（TB）描述：TRANS PNP 50V 0.1A SOT23 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M4-HF	PNP Transistors 文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812-M5	PNP Transistors 文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812-M5	PNP Silicon Epitaxial Transistors 文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M5-AP	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：带盒（TB）描述：TRANS PNP 50V 0.1A SOT23 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M5-HF	PNP Transistors 文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812-M6	PNP Silicon Epitaxial Transistors 文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M6	PNP Transistors 文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812-M6-HF	PNP Transistors 文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812-M7	PNP Transistors 文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812-M7	PNP Silicon Epitaxial Transistors 文件：398.13 Kbytes Page：4 Pages	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SA812-M7-HF	PNP Transistors 文件：1.03939 Mbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SA812XLT1	General Purpose Transistors 文件：351.31 Kbytes Page：5 Pages	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司

2SA812产品属性

类型
描述
型号
2SA812
制造商
Panasonic Industrial Company
功能描述
TRANSISTOR

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更新时间：2025-8-6 12:20:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	2SA812	CJ/长电	22+	SOT-23	243000	原装正品现货,可开13点税	询价
上海磐岳电子有限公司	2SA812	CJ	2023+	SOT-23	58000	进口原装,现货热卖	询价
标准国际(香港)有限公司	2SA812-T1B-A-M6		2015+		1000	公司现货库存	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	2SA812-T1B	NEC	23+	SOT23	7850	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	2SA812-T1B-A/S6	RENESAS	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	2SA812-M7	Slkor/萨科微	24+	SOT-23	50000	Slkor/萨科微一级代理,价格优势	询价
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	2SA812-T1B-A-M6		2015+		1000	公司现货库存	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SA812	长电/长晶	23+	SOT-23	120000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	2SA812	NEC	24+	SOT23-3	5000	原装现货	询价
深圳市赛美科科技有限公司	2SA812	PHI		SOT-23	16000	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价

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2022-4-15
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-24
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9

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