| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08799 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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