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2N60A晶体管资料

  • 2N60A别名：2N60A三极管、2N60A晶体管、2N60A晶体三极管

  • 2N60A生产厂家：CSR_美国电子晶体管公司_IDI

  • 2N60A制作材料：Ge-PNP

  • 2N60A性质：低频或音频放大 （LF）

  • 2N60A封装形式：直插封装

  • 2N60A极限工作电压：40V

  • 2N60A最大电流允许值：0.2A

  • 2N60A最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N60A引脚数：3

  • 2N60A最大耗散功率：0.18W

  • 2N60A放大倍数：β=65

  • 2N60A图片代号：D-9

  • 2N60Avtest：40

  • 2N60Ahtest：999900

  • 2N60Aatest：0.2

  • 2N60Awtest：0.18

  • 2N60A代换 2N60A用什么型号代替：ACY24,ACY44,ASY48,ASY77,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,2N2942,2N2043,3AX54C,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N60A

2A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

文件：760.98 Kbytes Page：5 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2N60

2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2N60

N2Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET

Description TheET2N60N-CeannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. Features ●RDS(ON)=5.00Ω@VGS=10V ●Lowgatecharge

ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司

ESTEK
2N60

2Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

TheUTC2N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowerupplies,PWM

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2N60

600VN-ChannelPowerMOSFET

Features ●RDS(ON)

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一电子山东迪一电子科技有限公司

DYELEC
2N60

2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH
2N60AF

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION TheNell2N60isathree-terminalsilicon devicewithcurrentconductioncapability of2A,fastswitchingspeed,lowon-state resistance,breakdownvoltageratingof600V, andmax.thresholdvoltageof4volts. Theyaredesignedforuseinapplicationssuch asswitchedmodep

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司

NELLSEMI

2N60A供应商更多...

更新时间：2025-5-15 22:30:00
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2N60A-LC1
UTC/友顺
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2n60c-VB
VBSEMI/微碧半导体
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