型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. See 2N5551 for characteristics.

FAIRCHILD

仙童半导体

NPN SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION 2N5830 and 2N5831 are NPN silicon planar transistors designed for small signal high voltage general purpose amplifiers.

MICRO-ELECTRONICS

NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS

NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

NPN General Purpose Amplifier

文件:297.37 Kbytes Page:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

2N5830_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5830_Q

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-27 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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