2N5830晶体管资料

  • 2N5830别名:2N5830三极管、2N5830晶体管、2N5830晶体三极管

  • 2N5830生产厂家:美国范恰得公司

  • 2N5830制作材料:Si-NPN

  • 2N5830性质:开关管 (S)_视频输出 (Vid)

  • 2N5830封装形式:直插封装

  • 2N5830极限工作电压:12V

  • 2N5830最大电流允许值:0.6A

  • 2N5830最大工作频率:>100MHZ

  • 2N5830引脚数:3

  • 2N5830最大耗散功率:0.625W

  • 2N5830放大倍数

  • 2N5830图片代号:A-31

  • 2N5830vtest:12

  • 2N5830htest:100000100

  • 2N5830atest:0.6

  • 2N5830wtest:0.625

  • 2N5830代换 2N5830用什么型号代替:BF391,BF392,BF393,BFP22,MPS-A42,MPS-A43,2N5550,3DG84E,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5830

NPN SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION 2N5830 and 2N5831 are NPN silicon planar transistors designed for small signal high voltage general purpose amplifiers.

MICRO-ELECTRONICS

2N5830

NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS

NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5830

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. See 2N5551 for characteristics.

Fairchild

仙童半导体

2N5830

NPN General Purpose Amplifier

文件:297.37 Kbytes Page:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

2N5830

NPN General Purpose Amplifier

ONSEMI

安森美半导体

2N5830

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:管件 描述:TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

NPN General Purpose Amplifier

文件:297.37 Kbytes Page:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N5830产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5830

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-25 20:00:00
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