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2N5830中文资料

厂家型号

2N5830

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功能描述

NPN General Purpose Amplifier

两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

2N5830数据手册规格书PDF详情

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. See 2N5551 for characteristics.

2N5830产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5830

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-26 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild
24+
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FAIRCHILD
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