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SILICON SWITCHING DIODE

HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DIODE FEATURES • Low capacitance: Ct = 4.0 pF MAX. • High speed switching: trr = 3.0 ns MAX. • Wide applications including switching, limitter, clipper.

RENESAS

瑞萨

SILICON SWITCHING DIODE

Features ● Low capacitance: Ct = 4.0 pF MAX. ● High speed switching: trr = 3.0 ns MAX. ● Wide applications including switching, limitter, clipper.

KEXIN

科信电子

SILICON SWITCHING DIODES

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NEC

瑞萨

更新时间:2025-12-26 17:10:01
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