1SV325,H3F(T)

时间:2023-7-21 15:47:00

1SV325,H3F(T)适用于高频功率放大、信号处理和其他需要高频性能和功率处理能力的应用。

1SV325,H3F(T)是一种高频功率二极管。以下是关于1SV325,H3F(T)产品功能的描述:

1. 高频特性:1SV325,H3F(T)具有优异的高频性能,适用于高频信号的处理和放大。它能够在高频范围内提供稳定的性能,确保高质量的信号传输。

2. 高功率处理能力:这款二极管能够处理较高的功率,使其适用于需要高功率放大和处理的应用。它能够稳定地工作于较高的功率水平,确保了系统的可靠性和稳定性。

3. 低反向电流:1SV325,H3F(T)具有低反向电流特性,这意味着在正常操作下,它只具有很小的反向电流。这有助于减少能量损耗,并提高设备的效率。

4. 小型封装:1SV325,H3F(T)采用小型封装,如SOT-23封装,使其适用于高密度电路板和紧凑的封装要求。这种小型封装还有助于提高系统的集成度和整体性能。

5. 宽工作温度范围:1SV325,H3F(T)能够在广泛的工作温度范围内正常运行,通常为-55°C至+125°C,适用于各种环境条件下的应用。

6. 可靠性:该产品具有良好的可靠性和长寿命。它经过严格的测试和质量控制,能够在长时间使用中保持一致的性能,具有较低的故障率。

综上所述,1SV325,H3F(T)是一种高频功率二极管,具有高频特性、高功率处理能力、低反向电流、小型封装、宽工作温度范围和可靠性等特点。它适用于高频功率放大、信号处理和其他需要高频性能和功率处理能力的应用。

品  牌: TOSHIBA(东芝)

厂家型号: 1SV325,H3F(T)

商品编号: C4153758

封装: SOD-523

商品毛重: 0.019875克(g)

包装方式: 编带

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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东芝株式会社东芝

2025-8-16 13:28:00
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