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IMZ120R045M1	丝印代码：120M1045；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification  Eas	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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ET120M10-Z	Standard Size Toggle Switch 文件：2.77001 Mbytes Page：14 Pages	COPAL 尼得科	COPAL
LDK120M10R	200 mA low quiescent current very low noise LDO 文件：2.48171 Mbytes Page：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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更新时间：2026-3-11 23:00:00

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2023-9-15
1206USB-372MLC
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