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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IMZ120R045M1 | CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Very low switching losses Threshold-free on state characteristic Wide gate-source voltage range Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V 0V turn-off gate voltage Fully controllable dv/dt Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification Eas | Infineon 英飞凌 |   | |
IMZ120R045M1 | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | Infineon 英飞凌 | | |
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.44426 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFETwith .XT interconnection technology 文件：1.26225 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.38579 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO247 |
880000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌全新特价IMZ120R045M1即刻询购立享优惠#长期有货 |
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INFINEON |
2021 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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INFINEON |
2年内 |
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Infineon(英飞凌) |
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NA |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
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