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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IMW120R045M1 | CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.38579 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IMW120R045M1 | CoolSiC ™ 1200V SiC 沟槽MOSFET，采用TO247-3封装 | Infineon 英飞凌 | | |
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.38579 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Very low switching losses Threshold-free on state characteristic Wide gate-source voltage range Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V 0V turn-off gate voltage Fully controllable dv/dt Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification Eas | Infineon 英飞凌 | | ||
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.44426 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFETwith .XT interconnection technology 文件：1.26225 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54285 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MOS |
5000 |
原厂支持公司优势现货 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
PG-TO247-3 |
9048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-247-3 |
6000 |
原装正品可追溯至原厂 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-247 |
35 |
正规渠道,只有原装! |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-247 |
8000 |
原装，正品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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2019-4-23
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