位置：首页 > IC中文资料 > IMW120R045M1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IMW120R045M1 | CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.38579 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IMW120R045M1 | CoolSiC ™ 1200V SiC 沟槽MOSFET，采用TO247-3封装 | Infineon 英飞凌 | | |
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.38579 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Very low switching losses Threshold-free on state characteristic Wide gate-source voltage range Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V 0V turn-off gate voltage Fully controllable dv/dt Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification Eas | Infineon 英飞凌 | | ||
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.44426 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFETwith .XT interconnection technology 文件：1.26225 Mbytes Page：17 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-247-3 |
6000 |
原装正品可追溯至原厂 |
|||
Infineon |
2526+ |
原厂封装 |
60000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83274530邹小姐 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-247 |
35 |
正规渠道,只有原装! |
|||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MOS |
5000 |
原厂支持公司优势现货 |
|||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
PG-TO247-3 |
9048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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2019-4-23
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