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120M1045

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

Features  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  Wide gate-source voltage range  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V  0V turn-off gate voltage  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification  Eas

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-9-29 9:30:00
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