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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheNP109N04PUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •HighcurrentratingID(DC)=±110A

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP109N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •Lowinputcapacitance Ciss=6900pFTYP. •Designedforautomotiveapplicati

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2025-8-1 20:07:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESA
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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原厂代理 终端免费提供样品

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