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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NP109N04PUJ | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP109N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •Lowinputcapacitance Ciss=6900pFTYP. •Designedforautomotiveapplicati | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NP109N04PUJ | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
NP109N04PUJ | ProductScoutAutomotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP109N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •Lowinputcapacitance Ciss=6900pFTYP. •Designedforautomotiveapplicati | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP109N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •Lowinputcapacitance Ciss=6900pFTYP. •Designedforautomotiveapplicati | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP109N04PUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •HighcurrentratingID(DC)=±110A | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
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NP109N04PUJ产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP109N04PUJ
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
RENESA |
15+ |
TO263 |
371 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
RENESA |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
MP-25ZPTO-263 |
32687 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
Renesas |
21+ |
TO-263 |
800 |
全新原装鄙视假货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-252 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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只做原装正品，欢迎咨询。
2020-7-16
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