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位置：首页 > IC中文资料第8404页 > NP109N04PUJ

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NP109N04PUJ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low input capacitance Ciss = 6900 pF TYP. • Designed for automotive applicati

RENESAS

瑞萨

NP109N04PUJ

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NP109N04PUJ

Product Scout Automotive

文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages

RENESAS

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NP109N04PUJ-E1B-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low input capacitance Ciss = 6900 pF TYP. • Designed for automotive applicati

RENESAS

瑞萨

NP109N04PUJ-E2B-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low input capacitance Ciss = 6900 pF TYP. • Designed for automotive applicati

RENESAS

瑞萨

NP109N04PUJ_15

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

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NP109N04PUJ-E1B-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages

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NP109N04PUJ-E2B-AY

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

ETC

知名厂家

NP109N04PUJ-E2B-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages

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NP109N04PUG

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION The NP109N04PUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • High current rating ID(DC) = ±110 A

NEC

瑞萨

NP109N04PUG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NP109N04PUG

Product Scout Automotive

文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages

RENESAS

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NP109N04PUJ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP109N04PUJ

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更新时间：2025-8-18 9:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
NP109N04PUJ
R
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NP109N04PUJ
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