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N-CHANNEL200V-0.022ohm-100AMax247MESHOVERLAY??PowerMOSFET

Description UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofPowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentedSTriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(ON)perarea,e

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.024Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel200V-0.022廓-100A-Max247MESHOVERLAY??PowerMOSFET

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更新时间:2025-7-23 17:27:01
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