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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STY100NS20FD | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.024Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STY100NS20FD | N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET Description Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of Power MOSFETs with outstanding performances. The new patented STrip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(ON) per area, e | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STY100NS20FD | N-channel 200V - 0.022廓 - 100A - Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET 文件：232.19 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STY100NS20FD | N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY™ Power MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 200V - 0.022廓 - 100A - Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET 文件：232.19 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STY100NS20FD产品属性
- 类型
描述
- 型号
STY100NS20FD
- 功能描述
MOSFET N-Ch 200 Volt 100 A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18746 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
ST |
15+ |
TO247 |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST/意法半导体 |
25+ |
Max247-3 |
20000 |
公司只有正品,实单可谈 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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ST/意法半导体 |
21+ |
Max247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
94540 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
Max247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
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TE/泰科 |
2608+ |
/ |
275591 |
一级代理，原装现货 |
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ST/ |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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