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04N6

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 600V,2.5A,RDS(ON)=2.5Ω@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandlingcapability. TO-220Ffull-pakforthroughhole

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-CHANNELENHANCEMENTMODE

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A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER

N-CHANNELENHANCEMENTMODE

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A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 600V,3.4A,RDS(ON)=2.4W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 600V,2.5A,RDS(ON)=2.5Ω@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandlingcapability. TO-220Ffull-pakforthroughhole

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
更新时间:2025-7-31 11:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AP
24+
TO251
6000
原装房间现货可出样品
Infineon(英飞凌)
2511
标准封装
7000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
AOS
2020+
TO-252
430
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
INFINEON
23+
TO220
8000
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON/英飞凌
23+
SOT-223
30000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
INFINEON
1215+
TO252
150000
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.
INFINEON/英飞凌
2447
TO-252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ROHM/罗姆
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON
23+
TO-252
8000
只做原装现货
Infineon/英飞凌
1926+
TO-220F
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!

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