型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ILP03N60

LightMOS Power Transistor

LightMOS Power Transistor • New high voltage technology designed for ZVS-switching in lamp ballasts • IGBT with integrated reverse diode • 4A current rating for reverse diode • Up to 10 times lower gate capacitance than MOSFET • Avalanche rated • 150°C operating temperature • FullPak is

Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

ISC

无锡固电

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:2.52205 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件:1.72801 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

Power MOSFET

文件:193.74 Kbytes Page:3 Pages

JIANGSU

长电科技

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures

文件:580.87 Kbytes Page:5 Pages

Fuji

富士通

ILP03N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ILP03N60

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

更新时间:2025-12-30 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
1000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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25+
500000
行业低价,代理渠道
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
INF
24+
NA
27003
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
Infineon
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
INFINEON/英飞凌
2023+
TO220
1000
专注全新正品,优势现货供应
INFINEON/英飞凌
2223+
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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INFINEON
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原装现货假一罚十

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