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ILD03N60

LightMOSPowerTransistor

LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

PowerMOSFET

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JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

文件:580.87 Kbytes Page:5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

ILD03N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ILD03N60

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

更新时间:2024-6-1 15:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
infineon
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TO-252
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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只做原装进口现货,专注配单
ADI
23+
TO-252
8000
只做原装现货
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货

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