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03N60S5	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：2.54815 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
03N60S5	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：2.51693 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
03N60S5_V01	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：2.54815 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ISPD03N60S5	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤1.4Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation	ISC 无锡固电	ISC
ISPP03N60S5	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitance • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤1.4Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perf	ISC 无锡固电	ISC
SPB03N60S5	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance	Infineon 英飞凌	Infineon

03N60S5供应商更多...

更新时间：2025-9-22 20:00:00

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03T-JWPF-VSLE-S 全新原装正品现货
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2020-9-25
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2020-9-19
0348260124 进口原装连接器
针座连接器-通孔-直角-12-位置-0.079"（2.00mm）
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04022R102K500BA国巨/华科贴片电容器 04022R102K500BA产品资料
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2020-5-15