150VN沟道X4级超结功率MOSFET,IXTP130N15X4

时间:2019-9-5 18:37:00

IXYS N 沟道 X4 级功率 MOSFET 可并联工作,以满足更高的电流要求

现推出采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发的功率半导体器件,从而使功率 MOSFET 的导通电阻 [RDS(ON)] 和栅极电荷 (Qg) 显著降低。低导通电阻可降低传导损耗,还可降低输出电容中存储的能量,从而最大限度地降低开关损耗。低 Qg 在轻负载时具有更高的效率以及更低的栅极驱动要求。此外,这些 MOSFET 具有雪崩功能,并拥有出色的 dv/dt 性能。其导通电阻为正温度系数,它们可以并联工作,以满足更高的电流要求。

特性

低 RDS(on) 和低 Qg

dv/dt 稳健性

雪崩耐量

国际标准封装

应用

开关电源中的同步整流

电机控制(48 V 至 80 V 系统)

DC-DC 转换器

不间断电源

电动叉车

D 类音频放大器

电信系统

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Silicon Controlled Rectifier

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美高森美美高森美公司

Microsemi

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2024-4-27 11:36:00
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