现推出采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发的功率半导体器件,从而使功率 MOSFET 的导通电阻 [RDS(ON)] 和栅极电荷 (Qg) 显著降低。低导通电阻可降低传导损耗,还可降低输出电容中存储的能量,从而最大限度地降低开关损耗。低 Qg 在轻负载时具有更高的效率以及更低的栅极驱动要求。此外,这些 MOSFET 具有雪崩功能,并拥有出色的 dv/dt 性能。其导通电阻为正温度系数,它们可以并联工作,以满足更高的电流要求。
特性
低 RDS(on) 和低 Qg
dv/dt 稳健性
雪崩耐量
国际标准封装
应用
开关电源中的同步整流
电机控制(48 V 至 80 V 系统)
DC-DC 转换器
不间断电源
电动叉车
D 类音频放大器
电信系统