DF2B5M4ASL,L3F

时间:2020-4-9 15:28:00

超低电容DF2B5M4ASL和DF2B6M4ASL ESD保护二极管 东芝的ESD二极管在高速设计中具有最小的插入损耗

超低电容DF2B5M4ASL和DF2B6M4ASL ESD保护二极管

东芝的ESD二极管在高速设计中具有最小的插入损耗

东芝DF2B5M4ASL,L3F和DF2B6M4ASL,L3F ESD二极管的图像 东芝的超低电容ESD保护二极管支持Thunderbolt?3,HDMI?2.1和USB 3.1等高速通信标准。DF2B5M4ASL支持3.6 V的最大工作峰值反向电压,而DF2B6M4ASL支持5.5 V的电压。平板电脑,笔记本电脑和游戏机通过使用10 Gbps或48G bps高速通信标准,将视频数据或大文件的传输时间降至最低。随着在这些高速通信应用中使用的控制器IC的微型化程度的提高,ESD容限正在降低,因此有必要加强措施以应对ESD和来自连接器的浪涌。没有ESD保护会导致严重故障,例如通信错误和文件损坏。

连接到高速通信线上的零件对信号的影响很大;印刷电路板上的无源部件(例如电容器和电阻器)可能会使信号波形失真。DF2B5M4ASL和DF2B6M4ASL通过较低的电容来降低这些影响,适用于高速通信。此外,通过优化工艺,产品可实现0.15 pF的电容(典型值),比大多数当前产品低约25%。这有助于实现用于高速通信的电路的稳定性。

低电容可将插入损耗降至最低。该性能具有同类产品中很高的ESD抗扰性。该系列ESD保护二极管采用业界标准的SL2(SOD-962)封装(通常称为0402)。DF2B5M4ASL和DF2B6M4ASL的有利功能可保护具有高抗静电性和低电容的高速数据线。

频率图

东芝频率图的图像

特征

C T:0.15 pF(典型值)

在RWM中:3.6 V和5.5 V

V ESD:±15 kV和±16 kV

R dyn:0.7Ω

我- [R:0.1微安

尺寸:0.62毫米×0.32毫米×0.3毫米

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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1-CHANNEL ULTRA LOW CAPACITANCE ESD DIODE

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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2024-3-28 17:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOD-882
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TOSHIBA/东芝
2021+
12000
2020