IX9915N

时间:2020-4-10 10:17:00

具有350 V达林顿晶体管的低压误差放大器– IX9915系列 IXYS集成电路在具有350 V达林顿晶体管的误差放大器中提供多功能产品设计

具有350 V达林顿晶体管的低压误差放大器– IX9915系列

IXYS集成电路在具有350 V达林顿晶体管的误差放大器中提供多功能产品设计

具有达林顿晶体管的IXYS IX9915系列放大器的图像IXYS集成电路通过将IX9915低压误差放大器与一个精密基准和一个350 V达林顿对晶体管集成在一个封装中,提供了多种产品设计。误差放大器在整个温度范围内具有1.3 V至12.5 V的电源电压范围。达林顿晶体管提供350 V的击穿电压。4端子431型并联稳压器和高压达林顿晶体管的集成组合非常适合用于LED灯泄放器控制电路。

特征

单个封装中的精密基准电压源,误差放大器和高压达林顿晶体管

+ 25°C时为1.299 V±1%基准(-40°C至+ 85°C时为±1.5%)

误差放大器的电源电压范围:1.3 V至12.5 V过热

达林顿晶体管的击穿电压:350 V

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Low Voltage Error Amplifier with a 350V Darlington Transistor

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

Low Voltage Error Amplifier with a 350V Darlington Transistor

IXYS

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IXYS

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IXYS

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IXYS

N-Channel 200V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

2.5 GSPS Direct Digital Synthesizer with 12-Bit DAC

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

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2024-4-16 23:06:00
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