IPD30N08S2-22天芯科技优势渠道积累-货源稳定-价格优势

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 OptiMOS??

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 21.5 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 57nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 136W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

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