零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 SIPMOS?
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 75 毫欧 @ 21.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1535pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
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